1. 진공 가열 세정
공작물은 정상 압력 또는 진공 하에서 가열되어 표면의 휘발성 불순물을 증발시켜 청소의 목적을 달성합니다. 이 방법의 세척 효과는 공작물의 주변 압력, 진공 유지 시간의 길이, 가열 온도, 오염 물질의 유형 및 공작물 재료와 관련이 있습니다. 원리는 공작물을 가열하여 물 분자의 탈착 향상 및 표면에 흡착 된 다양한 탄화수소 분자를 촉진하는 것입니다. 탈착 정도는 온도에 따라 다릅니다. 매우 높은 진공 상태에서 원자 적으로 깨끗한 표면을 얻기 위해 가열 온도는 450도보다 높아야하며 가열 세정 방법이 특히 효과적입니다. 그러나 때때로이 방법에는 부작용이 있습니다. 가열의 결과로, 일부 탄화수소는 더 큰 골재로 중합되어 동시에 탄소 슬래그로 분해 될 수있다.
2. 자외선 조사 세정
자외선 방사선을 사용하여 표면의 탄화수소를 분해하십시오. 예를 들어, 15 시간 동안 공기에 노출되면 깨끗한 유리 표면이 생성 될 수 있습니다. 올바르게 사전 청소 된 표면이 오존을 생성하는 자외선 공급원에 배치되면 깨끗한 표면 (공정 세정)을 형성하는 데 몇 분이 걸리며, 이는 오존의 존재가 청소 속도를 향상 시킨다는 것을 보여줍니다. 세척 메커니즘은 자외선 조사 하에서 먼지 분자가 여기되고 해리되고, 오존의 생성 및 존재는 매우 활성 원자 산소를 생성한다는 것이다. 오염 물질 분리에 의해 생성 된 흥분된 오염 물질 분자 및 자유 라디칼은 원자 산소와 반응하여 H203, CO2, N2 등과 같은 비교적 단순하고 휘발성 분자를 생성합니다. 반응 속도는 온도의 증가에 따라 증가합니다.
3. 배출 청소
이 세척 방법은 특히 진공 진공 청소기, 특히 진공 코팅 장비에서 높은 진공 및 초고 진공 시스템의 청소 및 탈기에 널리 사용됩니다. 뜨거운 와이어 또는 전극을 전자 공급원으로 사용하고 정화 할 상대 표면에 음의 바이어스를 적용하면 이온 폭격에 의한 일부 탄화수소의 가스 탈착 및 제거가 달성 될 수 있습니다. 세척 효과는 전극 재료, 기하학 및 표면과의 관계, 즉 단위 표면적 당 이온의 수 및 이온 에너지에 의존하므로 효과적인 전력에 따라 다릅니다. 진공 챔버에 적절한 부분 압력에서 불활성 가스 (일반적으로 AR 가스)로 채워질 때, 2 개의 적절한 전극 사이의 저압 글로우 배출에 의해 생성 된 이온 충격은 진공 챔버를 청소하는데 사용될 수있다. 이 방법에서, 불활성 가스는 이온화되고 진공 챔버의 내벽, 진공 챔버 및 기판의 다른 구조적 성분을 폭격한다. 산소가 채워진 가스에 첨가되면 일부 탄화수소를 더 잘 청소할 수 있습니다. 산소는 일부 탄화수소를 산화하여 휘발성 가스를 형성 할 수 있기 때문에 진공 시스템에서 쉽게 제외 할 수 있습니다. 스테인레스 스틸 고 진공 청소기 및 초고속 진공 컨테이너의 표면에 불순물의 주요 성분은 탄소 및 탄화수소입니다. 정상적인 상황에서는 탄소가 휘발 할 수 없습니다. 화학적 세정 후, AR 또는 AR + 02 혼합 가스를 글로우 배출 청소를 위해 도입해야합니다. 글로우 배출 세정에서 더 중요한 매개 변수는 적용된 전압 유형 (AC 또는 DC)이며, 표면에 화학적으로 결합 된 염료 표면과 가스, 방전 전압, 전류 밀도, 가스 유형, 압력, 폭격 시간, 전극 형태, 재료 및 위치 등의 가스를 청소하는 데 사용됩니다.
IV. 가스 플러싱
1. 암모니아 플러싱
물질의 표면에 질소가 흡착되면 흡착 에너지가 매우 작기 때문에 표면의 흡착 시간이 매우 짧고 장치 벽에 흡착되어 있어도 쉽게 펌핑됩니다. 이 특성의 암모니아 특성을 사용하여 진공 시스템을 플러시하면 시스템의 펌핑 시간이 단축 될 수 있습니다. 진공 코팅 기계가 대기에 넣기 전에 건조 질소로 채워진 경우, 다음 펌핑 사이클의 펌핑 시간은 거의 절반으로 단축 될 수 있습니다. 질소의 흡착 에너지는 수증기 분자의 흡착 에너지보다 훨씬 작기 때문에 질소 분자가 공간으로 채워진 후, 질소 분자는 먼저 공간에 의해 흡착된다. 흡착 부위는 확실하고 질소 분자로 채워져 있기 때문에 먼저 흡착 된 물 분자가 거의 없어 펌핑 시간이 단축됩니다. 확산 펌프에서 오일 튀는 기름으로 시스템이 오염 된 경우, 오염 된 시스템은 질소 플러싱으로 청소할 수 있습니다. 일반적으로 시스템을 베이킹하고 가열 할 때 시스템을 질소로 플러시하여 오일 오염을 제거 할 수 있습니다.
2. 반응성 가스 플러싱
이 방법은 특히 대형 초고 스테인레스 스틸 진공 시스템의 내부 청소에 적합하며 (탄화수소 오염 제거) 일반적으로 일부 대형 초고 진공 시스템의 진공 챔버 및 진공 성분에 적합합니다. 원자 상태에서 깨끗한 표면을 얻기 위해, 표면 오염을 제거하는 표준 방법은 화학적 세정, 진공 용광로 베이킹, 글로우 배출 세정 및 원자 에너지 베이킹으로 진공 시스템입니다. 위의 청소 및 탈기 방법은 종종 진공 시스템의 설치 전과 설치 중에 사용됩니다. 진공 시스템이 설치된 후 (또는 시스템이 작동중인 후) 다양한 구성 요소가 이미 고정되어 있기 때문에 Degas가 어렵습니다. 시스템이 (실수로) 오염되면 (주로 탄화수소와 같은 더 큰 원자 숫자를 가진 분자), 일반적으로 이는 일반적으로 분해, 재 처리 및 재설치되며, 온라인 탈기는 반응성 가스 프로그램을 사용하여 수행 될 수 있으며, 스테인레스 스틸 공허 챔버에서는 효과적으로 하트라 본 오염 물질을 제거 할 수 있습니다. 세척 메커니즘 : 산화 가스 (02, NO-RRB- 및 환원 가스 (NH3 NH3) 도입 금속 표면을 화학적으로 반응하고 청소하기 위해 오염 물질을 제거하고 깨끗한 금속 표면의 원자 상태를 얻기 위해 금속 표면을 화학적으로 반응하고 청소합니다. 표면 산화/감소 속도는 금속 표면의 조건에 의존합니다. 기판, 상이한 결정 방향에 대한 정확한 파라미터는 실험적으로 결정되며, 이들 파라미터는 다르다.
